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定向碳纳米管（A-CNT）薄膜有望成为构建性能优于传统晶体管的场效应晶体管（FET）的理想通道材料，基地建设并且开发了多种方法来制造具有高半导体纯度、基地建设良好定向、和高密度。顶栅A-CNTFET中的载流子迁移率达到最大值1850cm2V-1s-1，首条输送这接近于化学气相沉积生长的单个CNT，并在A-CNT薄膜中创下记录。
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2.（AdvancedFunctionalMaterials）：基地建设基于取向碳纳米管薄膜的增强型场效应晶体管和高速集成电路[2]半导体碳纳米管(CNT)具有较高的室温载流子迁移率和原子厚度，基地建设被认为是构建未来电子产品的高性能和极限尺寸场效应晶体管(FET)的理想通道材料。
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单晶多晶的电子衍射花样你都了解吗?本文由材料人专栏科技顾问溪蓓供稿，开工材料人编辑部Alisa编辑。深度学习算法包括循环神经网络（RNN）、宁东卷积神经网络（CNN）等[3]。
